熱載子光電轉換元件
刊登日期:2015/07/21
  ‧ 專利名稱 熱載子光電轉換裝置及其方法
  ‧ 專利證書號 I493739
US9818900
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2013/06/05)
美國 (2014/02/19)
 
  ‧ 發明人/PI 林清富,陳新鎰,許紘彰,趙俊傑,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
Die vorliegende Erfindung stellt ein Hot-Carrier-Verfahren zur photoelektrischen Umwandlung bereit. Das Verfahren umfasst eine Hot-Carrier-Vorrichtung zur photoelektrischen Umwandlung, die eine P-Halbleiterschicht, eine N-Halbleiterschicht und eine anorganische lichtabsorbierende Leitschicht aufweist. Die anorganische lichtabsorbierende Leitschicht ist zwischen der P-Halbleiterschicht und der N-Halbleiterschicht gebildet und ein elektrisches Feld wird zwischen der P-Halbleiterschicht und der N-Halbleiterschicht gebildet. Des Weiteren werden Photonen durch die anorganische lichtabsorbierende Leitschicht absorbiert, um Elektronen und Löcher zu erzeugen. Die Elektronen und Löcher werden durch das elektrische Feld oder Diffusionseffekt jeweils auf die N-Halbleiterschicht und die P-Halbleiterschicht verschoben, sodass die Elektronen und die Löcher jeweils nach außen geleitet werden, um elektrische Energie zu erzeugen. Ferner erhöht die vorliegende Erfindung die Menge der absorbierten Photonen und bewirkt, dass Elektronen und Löcher schnell nach außen geleitet werden, wodurch die Effizienz der photoelektrischen Umwandlung gesteigert wird und elektrische Energie mit einer hohen Leerlaufspannung und einer hohen Stromstärke erzeugt wird. The present invention provides a hot carrier method for photoelectric conversion. The method comprising a hot carrier device for photoelectric conversion having a P-semiconductor layer, an n-type semiconductor layer and an inorganic light-absorbing conductive layer. The inorganic light-absorbing conductive layer is formed between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer and an electric field is formed between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer. Furthermore, photons are absorbed by the inorganic light-absorbing conductive layer to generate electrons and holes. The electrons and holes are moved by the electric field or diffusion effect in each case on the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer, so that the electrons and the holes are directed outward in each case, to generate electric energy. The present invention further increases the amount of absorbed photons, causing electrons and holes are quickly passed to the outside, whereby the efficiency of photoelectric conversion is increased, and electric power is generated with a high open circuit voltage and a high current.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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