導電或共軛高分子薄膜之形成方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 導電或共軛高分子薄膜之形成方法
  ‧ 專利證書號 I299339
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2004/10/08)
 
  ‧ 發明人/PI 謝國煌,邱文英,陳兆勛,陳文章,戴子安,李其欣,王宏仁,
  ‧ 單位 高分子科學與工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭示了一種導電或共軛高分子薄膜之形成方法,此形成方法首先於基材上形成一具有複數個酸性團基之樹脂層,藉由樹脂層的局部酸性濃度較高之特性以錯合複數個導電或共軛高分子單體或寡聚物於樹脂層中,並藉由擴散至樹脂層中起始劑以相互聚合樹脂層中之複數個導電或共軛高分子單體或寡聚物,並形成一原位聚合之導電或共軛高分子薄膜。本發明之代表圖如第三圖所示。




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