磁場感測裝置及方法
刊登日期:2015/4/1
  ‧ 專利名稱 磁場感測裝置及方法
  ‧ 專利證書號 CN104678329B
I479171
US9625537 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2013/11/29)
中國 (2014/10/14)
美國 (2014/11/29)
 
  ‧ 發明人/PI 張慶瑞,張瑞航,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種磁場感測裝置及方法,該磁場感測裝置包含:一固定層,具有一第一磁化方向;一分析層,具有一第二磁化方向,其中該第一及該第二磁化方向兩者間呈一角度;以及一磁性感測層,在該分析層與該固定層之間,該磁場感測方法包含:提供具有一第一磁化方向的一固定層;提供具有一第二磁化方向的一分析層,其中該第一及該第二磁化方向兩者間呈一角度;以及在該分析層與該固定層之間提供一磁性感測層。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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