半導體元件及其製作方法
刊登日期:2016/07/01
  ‧ 專利名稱 半導體元件及其製作方法
  ‧ 專利證書號 I540703
US9425176
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2014/12/31)
美國 (2014/12/31)
 
  ‧ 發明人/PI 黃建璋,蘇亮宇,王致皓
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種半導體元件包括一基板、一圖案化導電層、一第一電晶體結構以及一第二電晶體結構。圖案化導電層形成於基板上。第一電晶體結構具有一第一源極、一第一閘極及一第一汲極。第一電晶體結構係以覆晶接合的方式電性連接至該圖案化導電層。第二電晶體結構具有一第二源極、一第二閘極及一第二汲極。第二電晶體結構係以覆晶接合的方式電性連接至該圖案化導電層。其中第一閘極經由圖案化導電層電性連接至第二源極,第一源極經由圖案化導電層電性連接至第二汲極。




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