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 石墨烯層轉印之方法
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刊登日期：2016/02/11 |
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| ‧ 專利名稱 |
石墨烯層轉印之方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I520901
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2013/09/03)
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| ‧ 發明人/PI |
林偉翔,陳廷卉,蘇維彬,吳志毅,張嘉升
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係提供一種石墨烯層轉印之方法,其包含下列步驟:(a)提供支撐架;(b)將支撐架置於蝕刻液之中;(c)將批覆石墨烯層之第一基板置於支撐架中進行蝕刻;(d)將蝕刻液置換為水溶液;(e)將第二基板置於水溶液之中;(f)將石墨烯層轉印於第二基板上.其中,本發明之方法無須使用高分子材料作為支撐層,除避免傳統方式容易有高分子殘留之缺點,仍具備優異的材料性質.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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