奈米碳管叢應變感測器及其製造方法
  ‧ 專利名稱 一種奈米碳管叢應變感測器及其形成方法
  ‧ 專利證書號 I646043
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2017/07/24)
美國 (2017/07/24)
 
  ‧ 發明人/PI 張所鋐,蘇志中,葉冠禹
  ‧ 單位 機械工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明係為一高靈敏度的撓性應變感測器及其製造方法,利用奈米碳管叢直接成長於撓性基材上,製作高靈敏度之應變感測器,可在微小應變下即有高電阻變化率之產生,意即為高靈敏度之撓性應變感測器。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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