Stacked channel MOSFETs with dielectric isolation underneath stacked channels to ensure the high S/D quality and method of forming the same
刊登日期:2025/04/08
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 12,272,734
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2021/08/30)
中華民國 (2022/02/17)
中國 (2022/02/22)
美國 (2024/07/31)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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