Superconducting electron spin resonance (ESR) line for controlling qubit
刊登日期:2023/05/16
  ‧ 專利名稱 半導體裝置及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I825815
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2022/04/07)
中華民國 (2022/06/29)
 
  ‧ 發明人/PI 葉昱辰,梁啟德,管希聖,李峻霣,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種半導體裝置包含源極區域、汲極區域、通道區域、一對空乏閘極、累積閘極及超導共振器。通道區域係在源極區域及汲極區域之間。此對空乏閘極係彼此分隔開。此對空乏閘極二者皆與通道區域重疊,並定義量子點量子位元區域在通道區域內且在此對空乏閘極之間。累積閘極係在此對空乏閘極之上,並跨越此對空乏閘極。超導共振器係橫向相鄰於量子點量子位元區域。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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