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Ambient temperature inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition (ICPCVD) method for growth of graphene
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刊登日期:2022/01/25 |
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‧ 專利名稱 |
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‧ 專利證書號 |
11232982
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2020/01/10)
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‧ 發明人/PI |
吳志毅
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‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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