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A structure of high density magnetic tunnel junction array

刊登日期：2022/08/09

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	US11749328B2 US12315541B2 US11410714B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2019/09/16) 中國 (2020/04/23) 中華民國 (2020/04/29) 美國 (2022/07/25) 美國 (2023/07/14) 美國 (2025/05/01)

‧ 發明人/PI	羅宗祐,鄒亞叡,劉致為
‧ 單位	台積電-臺灣大學聯合研發中心
‧ 簡歷/Experience

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