A method of forming S/D stressor for stacked gate-all-around FET by selective laser annealing
刊登日期:2019/06/25
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 I681463
10332985B2
10957784B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2018/03/29)
中華民國 (2018/07/31)
中國 (2018/08/28)
美國 (2019/06/24)
 
  ‧ 發明人/PI 翁翊軒,潘正聖,劉致為,藍偟翔,蔡仲恩,呂芳諒,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945