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 形成接合結構的方法
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刊登日期：2022/04/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
形成接合結構的方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I762342
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2021/06/04)
美國 (2022/06/01)
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| ‧ 發明人/PI |
莊東漢,吳柏慶,李珮螢,賴鈺璋,蔡幸樺,周眾信,
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| ‧ 單位 |
材料科學與工程學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
提供一種形成接合結構的方法，包括：提供第一金屬，其中第一金屬具有一第一絕對熔點；在第一金屬上形成銀奈米孿晶層，且銀奈米孿晶層包括平行排列孿晶界，其中平行排列孿晶界具有90%以上的[111]結晶方位；以及將銀奈米孿晶層與第二金屬相對接合，其中第二金屬具有第二絕對熔點，並在300℃至第一絕對熔點的一半的溫度或在300℃至第二絕對熔點的一半的溫度執行銀奈米孿晶層與第二金屬的接合。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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