S/D stressor of GeSn FETs by selective laser annealing
刊登日期:2019/12/17
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 10510888B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2017/07/07)
中華民國 (2017/11/24)
中國 (2017/11/27)
美國 (2019/11/18)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
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