A method of increasing the B concentration in epi-GeSn layer by solid phase doping
刊登日期:2020/09/15
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 10777663B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2018/10/02)
中華民國 (2018/11/20)
中國 (2018/11/21)
美國 (2020/09/11)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為,蔡仲恩,呂芳諒,陳品翔,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945