|
 Highly thermally conductive via structure in MEOL and BEOL for integrated circuits, and intradevice highly thermally conductive trench structure for
|
刊登日期：2019/06/07 |
|
|
|
|
|
| ‧ 專利名稱 |
|
| ‧ 專利證書號 |
10804180B3
11551992B2
|
| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/10/22)
中國 (2018/11/29)
中華民國 (2018/11/29)
美國 (2020/10/09)
|
|
|
| |
| ‧ 發明人/PI |
顏智洋,呂芳諒,劉致為
|
| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
|
| ‧ 簡歷/Experience |
|
|
| 技術摘要 / Our Technology： |
一種裝置包括非絕緣體結構、第一層間介電質層、第一熱通孔及第一電通孔。第一層間介電質在非絕緣體結構上方。第一熱通孔穿過第一層間介電質層並且與非絕緣體結構接觸。第一電通孔穿過第一層間介電質層並且與非絕緣體結構接觸。第一熱通孔及第一電通孔具有不同材料及相同高度。
A device includes a non-insulator structure, a first ILD layer, a first thermal via, and a first electrical via. The first ILD is over the non-insulator structure. The first thermal via is through the first ILD layer and in contact with the non-insulator structure. The first electrical via is through the first ILD layer and in contact with the non-insulator structure. The first thermal via and the first electrical via have different materials and the same height.
|
| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
|
| |
聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
|
| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
|
|
| |
|
| |
 |
專利行銷平台