A structure of GeSn-based stressor beneath source/drain for Ge-based PFETs
刊登日期:2017/10/01
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 I757272
10340383B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2016/09/27)
中華民國 (2017/03/15)
中國 (2017/03/23)
美國 (2019/07/01)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種半導體元件,包含一沿一第一方向延伸於一基材之上之鰭片與一沿一第二方向延伸覆蓋該鰭片之閘極結構。該閘極結構包含一閘極介電層覆蓋該鰭片、一閘極電極覆蓋該閘極介電層與沿第二方向延伸之閘極電極相對側表面上的絕緣閘極側壁。一源極/汲極區域形成於與閘極電極結構相鄰區域中的鰭片中,而一應力體層介於該源極/汲極區域與該半導體基材之間。該應力體層包含含有1019atoms cm-3或低於之摻雜物之錫化鍺(GeSn)或矽鍺錫(SiGeSn),而一部分在閘極結構下之該鰭片為一通道區域。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945