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 direct patterned nano-stressor using He beam lithography
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刊登日期：2018/02/06 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
I763691
10516050B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2017/03/09)
中華民國 (2017/07/26)
中國 (2017/07/27)
美國 (2019/12/23)
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| ‧ 發明人/PI |
林浩雄
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種半導體元件，包括自基板突出的半導體鰭片、半導體鰭片上方的閘極電極、半導體鰭片與閘極電極之間的閘極絕緣層、半導體鰭片之相對側上設置的源極區域與汲極區域、源極區域與汲極區域之間的區域中所形成之第一應力源。第一應力源包括一種選自由He、Ne及Ga組成之群組的材料。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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