反鐵電電容(ANTIFERROELECTRIC CAPACITOR)
刊登日期:2022/10/01
  ‧ 專利名稱 反鐵電電容器
  ‧ 專利證書號 I807701
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2021/03/18)
美國 (2022/01/25)
中華民國 (2022/03/17)
 
  ‧ 發明人/PI 陳敏璋,易聖涵,黃繼震
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本公開提出具有一或多個界面層/反鐵電層/界面層堆疊結構的反鐵電電容器。所提出的結構能使反鐵電晶體產生壓縮內壓而降低其遲滯行為,從而使反鐵電具有高儲能密度(Energy Storage Density,ESD)和低能量損失。所提供的反鐵電電容器具有紀錄新高的ESD(94J/cm3)和80%的高效率,以及高達5×1010W/kg的最大功率密度。除此之外,該多層堆疊的結構能夠緩解隨著薄膜厚度增加而導致的儲能性能下降,使其厚度在擴增到48nm時仍具有80J/cm3的高ESD和82%的效率。這種改進源自於界面對電子樹的阻擋效應從而提高了反鐵電的介電崩潰強度。此外,此電容器還表現出高達1010次操作循環的出色耐久性。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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