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 n-MOSFET低電壓操作的氮化鈦TiN金屬閘極(Modulation of the work function of TiN metal gate for n-type MOSFETs)
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刊登日期：2024/09/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
n-MOSFET低電壓操作的氮化鈦TiN金屬閘極/Modulation of the work function of TiN metal gate for n-type MOSFETs |
| ‧ 專利證書號 |
I854449B
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2022/05/04)
中華民國 (2023/01/16)
中國 (2023/01/18)
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| ‧ 發明人/PI |
王俊元,陳敏璋,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
提供了一種用於製造半導體裝置的方法。方法包括：在半導體基板上方沉積閘極介電層；藉由原子層沉積（ALD）製程在閘極介電層上方沉積功函數層，其中功函數層包含金屬元素及非金屬元素，並且ALD製程包含複數個循環。循環的每一者包含：將包含金屬元素的前驅物氣體引入腔室以在腔室中的半導體基板上形成前驅物表面層；從腔室吹淨掉前驅物氣體的剩餘部分；使用包含非金屬元素的反應性氣體電漿執行反應性氣體電漿處理以將前驅物表面層轉化為功函數層的單層；從腔室吹淨掉反應性氣體電漿的剩餘部分，及在腔室中執行惰性氣體電漿處理。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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