前驅物循環式原子層沉積設備與方法
刊登日期:2022/07/21
  ‧ 專利名稱 前驅物循環式原子層沉積設備與方法
  ‧ 專利證書號 I771939
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2021/03/04)
中國 (2022/03/04)
 
  ‧ 發明人/PI 陳敏璋,殷瑀彤,黃繼震
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種原子層沉積設備,包含一或多個內循環機構、一或多個待鍍物、一或多個進氣管線,以及一或多個氣體擾動裝置。一或多個待鍍物設置於每個內循環機構內。進氣管線在一製程循環(cycle)的不同時段提供一前驅物氣體至每個內循環機構內,前驅物氣體包含一前驅物及至少一載氣。氣體擾動裝置提供動力使該前驅物氣體在該內循環機構內循環流動。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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