A structure of spin-orbit torque memory cells by polarized spin injection to reduce write current
刊登日期:2024/07/30
  ‧ 專利名稱 A structure of spin-orbit torque memory cells by polarized spin injection to reduce write current
  ‧ 專利證書號 12,052,934
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2022/02/10)
美國 (2024/06/20)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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