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A structure of S/D electrode-all-around and conductive sacrificial layer in oxide semiconductor nanowire/nanosheet GAAFETs
 刊登日期：2025/08/01
  ‧ 專利名稱 半導體裝置及其形成方法
  ‧ 專利證書號 CN223503288U
I892524
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2023/11/30)
中華民國 (2024/03/21)
中國 (2024/11/29)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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