The demonstaration of steep subthreshold swing with ferroelectric gate stack on tunnel-based FET for the future CMOS application
刊登日期:2016/07/12
  ‧ 專利名稱 The demonstaration of steep subthreshold swing with ferroelectric gate stack on tunnel-based FET for the future CMOS application
  ‧ 專利證書號 9768030B2
9391162B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2014/04/04)
美國 (2016/06/28)
 
  ‧ 發明人/PI 李敏鴻
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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