用於光電製程之微轉印印章的製造方法
  ‧ 專利名稱 用於光電製程之微轉印印章的製造方法
  ‧ 專利證書號 I276540
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2005/11/30)
 
  ‧ 發明人/PI 謝國煌,楊申語,黃榮山,劉士榮,張致遠,
  ‧ 單位 高分子科學與工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭示了一種用於光電製程之微轉印印章的製造方法,首先提供一具有複數個凹槽之模版與一基材。其次,進行一填料程序以填充一樹脂於複數個該凹槽內,其中,樹脂包含熱硬化樹脂或光硬化樹脂。然後,進行一密合程序以密合該模版與該基材,並使得填充於該模版之該樹脂直接接觸該基材。接著,進行一固化製程以固化複數個該凹槽內之該樹脂並形成複數個凸起圖形,且使得複數個該凹槽內之該樹脂於該固化製程中貼合該基材。最後,進行一脫模程序以移除該模版並形成一具有複數個該凸起圖形的微轉印印章。




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