太陽能電池之金屬薄膜電極及其形成方法
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/11/02)
 
  ‧ 發明人/PI 陳學禮,莊尚餘,李紋豪,林唯芳,
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭露一種藉由微影技術(lithography)所製成的太陽能電池之金屬薄膜電極,上述金屬薄膜電極之厚度係能為5nm~500nm,且具有一穿透性孔洞陣列,藉此提高金屬薄膜電極之光穿透率,上述金屬薄膜電極之光穿透率能達40%~90%。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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