奈米結晶膜之元件及其製作方法
  ‧ 專利名稱 奈米結晶膜之元件及其製作方法
  ‧ 專利證書號 I337626
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2006/07/03)
 
  ‧ 發明人/PI 林昭吟,鄭淑齡 ,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種用以感測磁場變化的感應/記錄元件及其製作方法。該感應元件包含一龐磁阻奈米結晶薄膜及在薄膜上的四個金屬電極。該感應元件係藉由兩個金屬奈米顆粒及顆粒間之穿隧效應,利用隨之發生的磁場引致之電阻值(Magnetoresistance)變化,以進行磁場之感測及記憶其變化。




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