高效率矽發光二極體及其製造方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 基於奈米晶粒之光電元件及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I408834
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/04/02)
美國 (2010/10/04)
 
  ‧ 發明人/PI 陳敏璋,
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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