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 高效率矽發光二極體及其製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
基於奈米晶粒之光電元件及其製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I408834
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2010/04/02)
美國 (2010/10/04)
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| ‧ 發明人/PI |
陳敏璋,
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| ‧ 單位 |
材料科學與工程學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係揭露一種基於奈米晶粒之光電元件及其製造方法，例如，發光二極體、光偵測器、太陽能電池，等光電元件。根據本發明之光電元件包含一具有一第一導電型態之基材、形成在該基材上之N層作用層以及形成在最頂層作用層上之一具有一第二導電型態之透明導電層。每一層作用層係由多顆奈米晶粒排列而成，並且每一顆奈米晶粒係由一鈍化層所包覆。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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