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METHOD FOR MANUFACTURING A LOW-K LAYER

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	以鹼式法製造低介電係數層之方法
‧ 專利證書號	I404143 US 8,491,962
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2010/04/02) 中華民國 (2010/05/13) 美國 (2013/06/20)

‧ 發明人/PI	萬本儒,呂信諺,
‧ 單位	化學工程學系
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

在此揭露一種以鹼式法形成一低介電係數層之方法。此方法包括下步驟:(a)混合四烷氧矽烷、乙醇、氫氧化四烷銨及水以形成第一混合物;(b)加熱第一混合物以形成含有複數個非結晶含矽顆粒之第二混合物,加熱時間少於約36小時,且非結晶含矽顆粒之粒徑小於約10nm;(c)於第二混合物中加入一界面活性劑以形成一膠體溶液,膠體溶液中之界面活性劑的重量百分濃度為約1%至約20%;(d)將膠體溶液塗佈在基材上,並在基材上形成一膠體層;以及(e)加熱膠體層至一定條件,以將膠體層轉變為低介電係數層。
Discloses herein is a method of forming a low-k layer. The method includes the following steps. Tetraalkoxysilane, ethanol, tetraalkylammonium hydroxide and water are mixed in a molar ratio between 1:0.1:0.1:5 and 1:10:0.5:36 to form a first mixture. The first mixture is heated for a period of less than about 36 hours to form a second mixture containing a plurality of non-crystalline silicon-containing particles, wherein each of the non-crystalline silicon-containing particles has a particle size of smaller than about 10 nm. Subsequently, a surfactant is added to the second mixture to form a colloid solution, in which the surfactant has a concentration of about 1-20% by weight of the colloid solution. The colloid solution is coated on a substrate and thereby forming a colloid layer thereon. Then, the colloid layer is heated at a condition sufficient to transform the colloid layer into the low-k layer.

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