已預應變效應製造長波長發光二極體之方法及其結構
  ‧ 專利名稱 已預應變效應製造長波長發光二極體之方法及其結構
  ‧ 專利證書號 I338382
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2006/11/29)
美國 (2007/06/28)
 
  ‧ 發明人/PI 黃吉豐 ,唐宗毅 ,黃政傑 ,蕭文裕 ,陳鴻祥 ,呂志鋒 ,黃建璋 ,楊志忠 ,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種以預應變效應製造長波長發光二極體之方法及其結構,至少包含在製造具有氮化銦鎵/氮化鎵量子井層發光層的發光二極體時,先於N-型氮化鎵層上成長預應變的低銦含量氮化銦鎵層,再於低銦含量氮化銦鎵層上成長高銦含量單重或多重氮化銦鎵/氮化鎵量子井發光層結構,以增加高銦含量單重或多重量子井發光層之銦含量,因而加長發光二極體之放射波長。本發明之方法可加長發光二極體之放射波長超過50 nm(奈米),使例如原為綠光發光二極體之結構能放射橘光或紅光,且不影響其他的電性性質。
A method and structure for manufacturing long-wavelength visible light-emitting diode (LED) using the prestrained growth effect comprises the following steps: Growing a strained low-indium-content InGaN layer on the N-type GaN layer, and then growing a high-indium-content InGaN/GaN single- or multiple-quantum-well light-emitting structure on the low-indium-content InGaN layer to enhance the indium content of the high-indium quantum wells and hence to elongate the emission wavelength of the LED. The method of the invention can elongate emission wavelength of the LED by more than 50 nm (nanometer) such that an originally designated green LED can emit red light or orange light without influencing other electrical properties.





聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945