金屬-絕緣體-半導體雷射結構 (雷射結構及其製造方法)
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 金屬-絕緣體-半導體雷射結構 (雷射結構及其製造方法)
  ‧ 專利證書號 I340513
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/05/31)
美國 (2007/10/04)
 
  ‧ 發明人/PI 程子桓 ,李政霆 ,許文瑋 ,劉致為 ,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明為一種雷射結構,包括至少一半導體層以及一絕緣層,其中,該至少一半導體層及該絕緣層形成一共振腔。另外,該雷射結構還包括形成於該至少一半導體層下方的一基板、形成於該絕緣層上的一第一導電層、形成於該基板下的一第二導電層。




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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