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金屬-絕緣體-半導體雷射結構 (雷射結構及其製造方法)
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
金屬-絕緣體-半導體雷射結構 (雷射結構及其製造方法) |
‧ 專利證書號 |
I340513
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2007/05/31) 美國 (2007/10/04)
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‧ 發明人/PI |
程子桓 ,李政霆 ,許文瑋 ,劉致為 ,
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‧ 單位 |
光電工程學研究所
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明為一種雷射結構,包括至少一半導體層以及一絕緣層,其中,該至少一半導體層及該絕緣層形成一共振腔。另外,該雷射結構還包括形成於該至少一半導體層下方的一基板、形成於該絕緣層上的一第一導電層、形成於該基板下的一第二導電層。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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