發光元件、發光二極體及發光元件之製造方法
  ‧ 專利名稱 發光元件、發光二極體及發光元件之製造方法
  ‧ 專利證書號 I363440
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/11/01)
美國 (2008/03/25)
 
  ‧ 發明人/PI 楊志忠 ,葉東明 ,陳正言 ,盧彥丞 ,沈坤慶 ,黃吉豐 ,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種發光元件,包括一發光單元,及一表面電漿耦合單元,與發光單元連結。發光單元包括一第一型半導體層、一位於第一型半導體層上之主動層,及一位於主動層上之第二型半導體層。在一實施例中,表面電漿耦合單元為一金屬層,且金屬層接觸第二型半導體層。在另一實施例中,金屬層和第二型半導體層之間設置有一介電層。

The invention provides a light-emitting device, comprising a light-emitting element and a surface plasmon coupling element connected to the light-emitting element. In an embodiment of the invention, the surface plasmon coupling element comprises a dielectric layer connected to the light-emitting element and a metal layer on the dielectric layer. In another embodiment of the invention, the light-emitting device is a light-emitting diode, comprising an active layer between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, and a surface plasmon coupling element adjacent to the n-type semiconductor layer. In a further embodiment of the invention, a current spreading layer on a second type semiconductor layer of the light-emitting device includes a plurality of strip-shaped structures, and the surface plasmon coupling element is disposed on the current spreading layer and filled into the gap between the strip-shaped structures of the current spreading layer.





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