利用奈米晶體製作多波長發光二極體之方法及其發光元件
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2006/10/05)
美國 (2007/06/26)
 
  ‧ 發明人/PI 葉東明 ,陳鴻祥,呂志鋒 ,黃吉豐,蕭文裕 ,黃建璋 ,盧彥丞 ,楊志忠 ,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種利用奈米晶體製作多波長發光二極體之方法及其發光元件,在晶膜生長時,以混合至少兩個種類的量子井的堆疊,來形成複合量子井結構層,而製造雙波長發光二極體;然後在雙波長發光二極體上配置有奈米晶體,以轉換雙波長發光二極體之其一波長來製造多波長發光二極體;本發明之發光元件可以發射藍、綠及紅光以產生白光。
A producing method of poly-wavelength light-emitting diode of utilizing nano-crystals and the light-emitting device thereof includes growing and processing a multiple-quantum-well layer based on stacking the mixture of at least two kinds of quantum wells to produce a two-wavelength light-emitting diode. Then, attaching nano-crystals on the two-wavelength light-emitting diode to transfer one of the wavelengths of the two-wavelength light-emitting diode to produce a poly-wavelength light-emitting diode. The device of the present invention can emit blue, green and red lights to produce white light.





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