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非相鄰垂直共振腔耦合結構
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
非相鄰垂直共振腔耦合結構 |
‧ 專利證書號 |
I335101 7872550 7877855 7675391
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‧ 專利權人 |
工研院共有 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2007/06/29) 美國 (2008/01/07) 美國 (2010/01/18)
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‧ 發明人/PI |
吳瑞北,
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‧ 單位 |
電機工程學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
一種非相鄰垂直共振腔耦合結構,其至少包括:第一與第二共振腔、介質材料層、至少第一與一第二高頻傳輸線以及至少一連通柱。第一與第二共振腔分別具有彼此相對的第一與第二金屬表面,其中第一與第二共振腔的各第二金屬表面彼此相對配置。介質材料層位在第一與第二共振腔的各第二金屬表面之間。第一高頻傳輸線配置在對應該第一共振腔的第一表面的其中一側邊緣,並且第二高頻傳輸線配置在對應第二共振腔的第一表面的其中一側邊緣,連通柱則垂直地連接該第一與該第二高頻傳輸線。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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