一種利用三五族半導體材料作為閘極電極以利於調整臨界電壓的方法
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 100%
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2006/12/14)
美國 (2007/10/24)
 
  ‧ 發明人/PI 曾志宏 ,吳賢達 ,彭成毅 ,劉致為 ,
  ‧ 單位 電子工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本案係為一種利用三五族半導體材料作為閘極電極的方法,其步驟包含提供一基板;於該基板上形成一閘極介電層;以及於該閘極介電層上形成一三五族半導體材料。
A method of using an III-V semiconductor material as a gate electrode is provided. The method includes steps of providing a substrate; forming a gate dielectric layer on the substrate; and forming the III-V semiconductor material on the gate dielectric layer.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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