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 具半導體異質接面之薄膜太陽電池及其製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
具半導體異質接面之薄膜太陽電池及其製造方法 |
| ‧ 公開號 |
200924206
US 2009-0194152 A1
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2007/11/30)
美國 (2008/02/04)
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| ‧ 發明人/PI |
劉致為,余承曄 ,陳文園 ,林楚軒 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提出一種高效率之薄膜太陽電池的結構及其製造方法,其係利用成長於薄膜太陽電池元件結構上的IV族半導體異質接面來取代既有之III-V族半導體異質接面以及IV族半導體同質結構,並經由異質接面層數與厚度的調整,使此一薄膜太陽電池的效率達最佳化。
A thin-film solar cell having a hetero-junction of semiconductor and the fabrication method thereof are provided. Instead of the conventional hetero-junction of III-V semiconductor or homo-structure of IV semiconductor, the thin-film solar cell according to the present invention adopts a novel hetero-junction structure of IV semiconductor to improve the cell efficiency thereof. By adjusting the amount of layer sequences and the thickness of the hetero-junction structure, the cell efficiency of the thin-film solar cell according to the present invention is also optimized.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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