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(3)
使用原子層沉積技術成長氧化鋅/氧化鋅鎂磊晶薄膜與量子井及其光學性質之研究
刊登日期:2014/05/21
‧ 專利名稱
氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法
‧ 專利證書號
I379438
7,972,876
‧ 專利權人
國立臺灣大學
‧ 專利國家
(申請日)
中華民國 (2008/02/05)
美國 (2008/02/28)
‧ 發明人
陳敏璋
, 陳星兆,
技術摘要:
本發明揭露一種氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法。根據本發明之製造方法,首先,係製備一基材。接著,藉由一基於原子層沈積之製程,於該基材上或之上形成一氧化鋅基多層結構,其中該氧化鋅基多層結構包含一發光區域。
聯繫方式
聯絡人: 研發處產學合作總中心
電話: (02)3366-9949
地 址: 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室