 技術摘要： |
一種金屬-絕緣體-半導體-絕緣體-金屬(MISIM)裝置，包括半導體層、設置在半導體層的上表面上的絕緣層、設置在半導體層之與上表面相反的下表面上的背電極以及設置在絕緣層上並且彼此間隔開的第一電極和一第二電極。
A metal-insulator-semiconductor-insulator-metal (MISIM) device includes a semiconductor layer, an insulating layer disposed over an upper surface of the semiconductor layer, a back electrode disposed over a lower surface of the semiconductor layer opposing the upper surface, and first and second electrodes disposed over the insulating layer and spaced-apart from each other.
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