Anti-fuse array with nanowires formed by self-ending anodization 刊登日期:2018/04/24
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 9953989B2
10504907B2
10978461B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2014/10/30)
美國 (2018/03/29)
美國 (2019/10/17)
  ‧ 發明人 田維誠, 胡振國,
 
技術摘要:




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