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Low-K cavity formed by self-ending anodization |
刊登日期:2017/11/07 |
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‧ 專利名稱 |
Low-K cavity formed by self-ending anodization |
‧ 專利證書號 |
9812395B2
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2014/10/07)
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‧ 發明人 |
田維誠, 胡振國, |
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技術摘要: |
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聯繫方式 |
聯絡人:
研發處產學合作總中心 |
電話:
(02)3366-9949 |
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地 址:
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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