‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	CN113053740B I800797 US11508572B2 US12033850B2 US12191144B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家     (申請日)	美國 (2020/04/01) 中國 (2021/02/20) 中華民國 (2021/02/22) 美國 (2022/07/27) 美國 (2022/11/20) 美國 (2024/11/22)
‧ 單位	台積電-臺灣大學聯合研發中心
‧ 發明人 / PI	陳敏璋
‧ 簡歷 / Experience

一種方法包括在晶片上形成虛設閘極結構。閘極間隔物形成在虛設閘極結構的任一側上。去除虛設閘極結構以在閘極間隔物之間形成閘極溝槽。在閘極溝槽中形成閘極介電層。在閘極介電層上方形成閘極。形成閘極介電層包括向晶片施加第一偏壓。在第一偏壓開啟的情況下，向晶片提供第一前驅物。關閉第一偏壓。在關閉第一偏壓之後，向晶片提供第二前驅物。

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