‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	CN113178390B I764546 US11245024B2 US12224334B2 US11699739B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家     (申請日)	美國 (2020/04/09) 中華民國 (2021/01/28) 中國 (2021/03/31) 美國 (2022/01/27) 美國 (2023/05/25) 美國 (2025/01/03)
‧ 單位	台積電-臺灣大學聯合研發中心
‧ 發明人 / PI	陳敏璋
‧ 簡歷 / Experience

一種製造半導體裝置的方法，包括形成鰭結構，鰭結構包括位於基板上方的交替堆疊的多個第一半導體層與多個第二半導體層。形成犧牲閘極結構於鰭結構上方。形成多個間隔物於犧牲閘極結構的任一側上。移除犧牲閘極結構以形成溝槽於間隔物之間。從溝槽移除第一半導體層，而留下第二半導體層懸浮於溝槽中。形成自組裝單分子膜於溝槽內的間隔物的多個側壁上。形成多個界面層，分別環繞懸浮的第二半導體層。將高k介電層以較快的沉積速率沉積於界面層上，相較於沉積於自組裝單分子膜上。形成金屬閘極結構於高k介電層上方。

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