‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	115768246B I825815 US12,648,366
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家     (申請日)	美國 (2022/04/07) 中華民國 (2022/06/29) 中國 (2022/07/11) 美國 (2025/08/07)
‧ 單位	台積電-臺灣大學聯合研發中心
‧ 發明人 / PI	葉昱辰,梁啟德,管希聖,李峻霣,
‧ 簡歷 / Experience

一種半導體裝置包含源極區域、汲極區域、通道區域、一對空乏閘極、累積閘極及超導共振器。通道區域係在源極區域及汲極區域之間。此對空乏閘極係彼此分隔開。此對空乏閘極二者皆與通道區域重疊，並定義量子點量子位元區域在通道區域內且在此對空乏閘極之間。累積閘極係在此對空乏閘極之上，並跨越此對空乏閘極。超導共振器係橫向相鄰於量子點量子位元區域。

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