‧ 專利名稱	嵌入式蕭特基非對稱型超接面功率半導體
‧ 專利證書號	I817120
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家     (申請日)	中華民國 (2021/05/14)
‧ 單位	工程科學及海洋工程學系
‧ 發明人 / PI	李坤彥,賴云凱,鄒振東,李羿軒,吳瑞祺,
‧ 簡歷 / Experience

一種嵌入式蕭特基非對稱型超接面功率半導體，包含半導體基板，及多個相鄰地設置在半導體基板上的電晶體單元。每一個該電晶體單元包括本體、閘極、源極、摻雜區，及金屬單元。本體包括第一柱狀部、二分別位在第一柱狀部兩側的第二柱狀部，及一頂面。閘極設置在頂面。源極位在本體內且鄰近閘極一側，並包括由第一柱狀部往相鄰的第二柱狀部延伸的井區。摻雜區位在第一柱狀部內，且與源極間隔地位在閘極另一側，而讓第一柱狀部的部分表面露出，其中，摻雜區結構不同於源極，且其半導體特性不同於第一柱狀部。金屬單元覆蓋閘極與源極，並與第一柱狀部露出的部分表面直接接觸，從而形成蕭特基接觸。

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