‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	CN107039280B I637429 US10109477B2 US10636651B2 US11664218B2 US11043376B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家     (申請日)	美國 (2016/05/10) 中華民國 (2016/11/03) 中國 (2016/12/30) 美國 (2018/07/31) 美國 (2020/04/14) 美國 (2021/06/07)
‧ 單位	台積電-臺灣大學聯合研發中心
‧ 發明人 / PI	劉致為,
‧ 簡歷 / Experience

本發明實施例提供基於一拓樸絕緣體的一種電晶體。在本發明實施例中，使用一拓樸絕緣體形成通道和源/汲極區兩者，其中上述通道具有一第一厚度，使上述拓樸絕緣體具有一半導體材料的性質。並且上述源/汲極區具有一第二厚度，使上述拓樸絕緣體具有一導電材料的性質。

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