專利公告 Patents
Bi-layer antiferroelectric tunnel junction for non-volatile memory application
刊登日期：2026/03/24
| ‧ 專利名稱 | |
| ‧ 專利證書號 | US12588214B2 |
| ‧ 專利權人 | 國立臺灣大學 |
| ‧ 專利國家 (申請日) |
美國 (2022/06/24) |
| ‧ 單位 | 台積電-臺灣大學聯合研發中心 |
| ‧ 發明人 / PI | 李敏鴻,劉致為, |
| ‧ 簡歷 / Experience |
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