‧ 專利名稱	半導體膜層的製備方法
‧ 專利證書號	I867392B
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家     (申請日)	中華民國 (2022/12/21) 美國 (2023/02/14)
‧ 單位	材料科學與工程學系
‧ 發明人 / PI	周苡嘉,黃張勳,
‧ 簡歷 / Experience

本發明係係關於一種半導體膜層的製備方法，包括下列步驟：提供一雲母基板；沉積複數半導體薄膜於雲母基板上，形成一半導體基板；以及以一降溫速率冷卻半導體基板，使複數半導體薄膜與雲母基板分離，得到一半導體膜層，其中降溫速率在10-50℃/min的範圍內。此外，複數半導體薄膜包括一第一半導體薄膜及一第二半導體薄膜，第一半導體薄膜係在一第一溫度之環境下形成，第二半導體薄膜係在一第二溫度之環境下形成，第一溫度小於第二溫度，且第一半導體薄膜設置於雲母基板與第二半導體薄膜之間。

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