專利公告 Patents
Molybdenum disulfide transistors with all 2D material interfaces:device performance optimization, influences of interfaces and passivation layers
刊登日期：2024/10/01
| ‧ 專利名稱 | 半導體元件與其製作方法 |
| ‧ 專利證書號 | CN222967310U I857824 |
| ‧ 專利權人 | 國立臺灣大學 |
| ‧ 專利國家 (申請日) |
美國 (2023/08/31) 中華民國 (2023/10/26) 中國 (2024/08/01) |
| ‧ 單位 | 台積電-臺灣大學聯合研發中心 |
| ‧ 發明人 / PI | 林時彥 |
| ‧ 簡歷 / Experience |
技術摘要 / Our Technology：
聯繫方式 / Contact：
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw
電話/Tel：02-3366-9945