專利公告  Patents


Read-enhanced/Dual-port 8T 3-tier SRAM with bitcell area as small as 6T 3-tier high-density SRAM

刊登日期：2026/04/24

　
  ‧ 專利名稱 半導體結構及其製造方法
  ‧ 專利證書號 CN224165043U
I924187
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2024/06/26)
中華民國 (2024/10/28)
中國 (2025/06/04)
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心　
  ‧ 發明人 / PI 劉致為,
  ‧ 簡歷 / Experience

技術摘要 / Our Technology：



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