ALD assisted non-resist charged particle beam patterning 刊登日期:2016/07/11
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 I541860B
9934969B2
10615036B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2014/06/13)
中華民國 (2014/12/24)
美國 (2018/03/28)
  ‧ 發明人 陳敏璋, 蔡坤諭,
 
技術摘要:
提供一種製備一積體電路的製程。此製程包含提供一基板,並使用原子層沉積或分子層沉積以形成一硬罩幕於基板上。接著暴露硬罩幕於一或多個帶電粒子束的一帶電粒子中,以圖案化一間隙於硬罩幕中。另一方面,此製程包含暴露硬罩幕於一或多個帶電粒子束的一帶電粒子中,以圖案化一結構於硬罩幕上。



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