A gate structure for fabricating hyeteresis free negative capacitance field effect transistors 刊登日期:2017/06/13
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 106158934B
9679893B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2015/05/15)
中國 (2015/11/27)
  ‧ 發明人 劉致為,
 
技術摘要:




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